Metadata
Author: patents-wipo
Data
English[en]
The present invention relates to an etching solution composition for multiple films or double films formed with metal films including copper and metal films including molybdenum, and said composition comprises, with respect to the total weight of the composition: H3PO4 25 to 50 weight%; HNO3 0.1 to 7 weight%; CH3COOH 10 to 50 weight%; cyclic amine compound 0.1 to 5 weight%; and residual water.
French[fr]
La présente invention concerne une solution d'attaque chimique pour des films multiples ou des films doubles formés à l'aide de films métalliques comprenant des films de cuivre et métal comportant du molybdène, et ladite composition comprend, par rapport au poids total de la composition: 25 à 50% en poids de H3PO4; 0,1 à 7% en poids de HNO3; 10 à 50 en poids de CH3COOH; 0,1 à 5 % en poids de composé amine cyclique; et de l'eau résiduelle.
Korean[ko]
본 발명은 조성물 총 중량에 대하여, H3PO4 25 내지 50 중량%; HNO3 0.1 내지 7 중량%; CH3COOH 10 내지 50 중량%; 고리형 아민 화합물 0.1 내지 5 중량%; 및 물 잔량을 포함하는 것을 특징으로 하는, 구리를 포함하는 금속막과 몰리브덴을 포함하는 금속막으로 이루어진 이중막 또는 다중막용 식각액 조성물에 관한 것이다.