Metadata
Author: patents-wipo
Data
English[en]
The present disclosure relates to a group III nitride semiconductor light emitting device comprising an n-type group III nitride semiconductor layer, a p-type group III nitride semiconductor layer, and an active layer interposed between the two semiconductor layers to generate light by the re-combination of electrons and holes, wherein said active layer includes a quantum well layer having a first energy band gap, and a wave function localization guide layer which has a second energy band gap smaller than the first energy band gap, and is disposed within the quantum well layer.
French[fr]
La présente invention concerne un dispositif électroluminescent semi-conducteur à nitrure du groupe III composé d'une couche semi-conductrice à nitrure du groupe III de type N, d'une couche semi-conductrice à nitrure du groupe III de type P et d'une couche active interposée entre les deux couches semi-conductrices afin de générer de la lumière par la recombinaison d'électrons et de trous, ladite couche active comprenant une couche de puits quantique, qui a une première bande interdite d'énergie, et une couche guide de localisation de fonction d'onde qui a une deuxième bande interdite d'énergie plus petite que la première bande interdite et qui est disposée dans la couche de puits quantique.
Korean[ko]
본 개시는 n형 3족 질화물 반도체층, p형 3족 질화물 반도체층 및 이들 사이에 개재되어 전자와 정공의 재결합에 의해 빛이 생성되는 활성층을 포함하는 3족 질화물 반도체 발광소자에 있어서, 활성층은, 제1 에너지밴드 갭을 가지는 양자우물층 및 제1 에너지밴드 갭보다 작은 제2 에너지밴드 갭을 가지며, 양자우물층 내에 개재되는 파동함수 국소화 유도층을 포함하는 3족 질화물 반도체 발광소자에 관한 것이다.