Metadata
Author: patents-wipo
Data
English[en]
The manufacturing method for a CI(G)S thin film of the present invention comprises: a step for producing CI(G)S based binary nano-particles; a step for producing a hybrid-type slurry by mixing the binary nano-particles, a solution precursor comprising CI(G)S based elements, a solvent, and a chelating agent; a step for maturing the hybrid-type slurry for five to ten days; a step for forming a CI(G)S based thin film by coating the matured hybrid-type slurry; and a step for thermally treating the formed CI(G)S thin film.
French[fr]
Le procédé de fabrication d'une couche mince CI(G)S de la présente invention comprend : une étape de production de nanoparticules binaires à base de CI(G)S ; une étape de production d'une boue du type hybride par mélange des nanoparticules binaires, d'un précurseur de solution comprenant des éléments à base de CI(G)S, d'un solvant et d'un agent chélatant ; une étape de maturation de la boue du type hybride pendant cinq à dix jours ; une étape de formation d'une couche mince à base de CI(G)S par application d'un revêtement de la boue du type hybride maturée ; et une étape de traitement thermique de la couche mince CI(G)S formée.
Korean[ko]
본 발명의 CI(G)S계 박막의 제조방법은, CI(G)S계의 이성분계 나노입자를 제조하는 단계; 상기 이성분계 나노입자, CI(G)S계 원소를 포함하는 용액 전구체, 용매 및 킬레이트제를 혼합하여 하이브리드형 슬러리를 제조하는 단계; 상기 하이브리드형 슬러리를 5일 내지 10일 동안 숙성하는 단계; 숙성된 하이브리드형 슬러리를 코팅하여 CI(G)S계 박막을 형성하는 단계; 및 상기 형성된 CI(G)S박막에 열처리하는 단계를 포함한다.