Metadata
Author: patents-wipo
Data
English[en]
Provided is a production method for a semiconductor element comprising a metal silicide layer.
French[fr]
La présente invention se rapporte à un procédé de fabrication d'un élément semi-conducteur comprenant une couche de siliciure de métal.
Korean[ko]
본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자의 제조 방법은 폴리실리콘 패턴이 형성된 기판 상에 폴리실리콘 패턴이 노출되도록 절연층을 형성하는 단계, 절연층에 대하여 선택적으로 노출된 폴리실리콘 패턴 상에 실리콘 시드층을 형성하는 단계, 실리콘 시드층이 형성된 기판 상에 금속층을 형성하는 단계 및 금속층이 형성된 기판을 열처리하여 금속 실리사이드층을 형성하는 단계를 포함한다.