Metadata
Author: Giga-fren
Data
English[en]
Far-infrared photothermal ionization spectroscopy has been used to investigate the impurities in selectively boron-doped GexSi(1–x)–Si strained-layer heterostructures.
French[fr]
On a utilisé la spectroscopie d'ionisation photothermique dans l'infrarouge lointain pour l'étude des impuretés dans des hétérostructures à couches déformées GexSi(1–x)–Si dopées sélectivement au bore.