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Author: patents-wipo
Data
German[de]
Das Halbleiter-Übergitter (16) wirkt als Passivierungsschicht für die Resonator-Endfläche (15) und weist eine Anzahl Schichten (16.1, 16.2, 16.3, 16.4) auf, deren Materialzusammensetzungen derart gewählt sind, dass im Wesentlichen keine Lichtabsorption bei der Emissionswellenlänge des Halbleiter-Lasers (13) stattfindet, das Schichtpaket einen Ladungsträgertransport aus der aktiven Schicht an die Oberfläche der äussersten Schicht (16.4) unterdrückt und gleichzeitig gute Gitteranpassung des Halbleiter-Übergitters (16) an den Halbleiter-Laser ermöglicht wird.
English[en]
The semiconductor superlattice (16) acts as a passivation layer for the resonator end face (15) and has a number of layers (16.1, 16.2, 16.3, 16.4), the material compositions of which are selected in such a manner that essentially no light is absorbed at the emission wavelength of the semiconductor laser (13), the layer assembly suppresses charge carrier transport from the active layer to the surface of the outermost layer (16.4) and good lattice adaptation of the semiconductor superlattice (16) to the semiconductor laser is made possible at the same time.
French[fr]
La surstructure en semiconducteur (16) fait office de couche de passivation pour la surface d'extrémité de résonateur (15) et présente un certain nombre de couches (16.1, 16.2, 16.3, 16.4) dont les compositions matérielles sont choisies de telle sorte qu'il ne se produit quasiment aucune absorption de lumière à la longueur d'onde d'émission du laser à semiconducteur (13), le paquet de couches inhibe un transport des porteurs de charge hors de la couche active sur la surface de la couche extérieure (16.4) et une bonne adaptation de réseau cristallin de la surstructure en semiconducteur (16) au laser à semiconducteur est en même temps rendue possible.