Metadata
Author: patents-wipo
Data
English[en]
The disclosure relates to a method of growing a group III-nitride semiconductor layer, the method comprising the steps of: forming stripes with a plurality of protrusions extending along a first orientation and protruding in a second orientation in a crystal substrate; and forming a group III-nitride semiconductor layer on the crystal substrate in which the stripes having the protrusions are formed, wherein the second orientation is a relatively slower orientation in the growth of the group III-nitride semiconductor layer than that of the first orientation.
French[fr]
La présente invention concerne un procédé de croissance d'une couche de semi-conducteur au nitrure du groupe III, le procédé comprenant les étapes consistant : à former des bandes présentant une pluralité de saillies s'étendant dans une première orientation et faisant saillie dans une seconde orientation dans un substrat cristallin ; à former une couche de semi-conducteur au nitrure du groupe III sur le substrat cristallin dans lequel les bandes présentant les saillies sont formées, la seconde orientation étant une orientation relativement plus lente que la première orientation en terme de croissance de la couche de semi-conducteur au nitrure du groupe III.
Korean[ko]
본 개시는 3족 질화물 반도체층을 성장하는 방법(METHOD OF GROWING III-NITRIDE SEMICONDUCTOR LAYER)에 있어서, 결정 기판에 제1 방향을 따라 뻗어 있으며, 제2 방향으로 돌출된 복수의 돌출부가 구비된 스트라이프를 형성하는 단계; 그리고, 돌출부를 구비하는 스트라이프가 형성된 결정 기판 위에 3족 질화물 반도체층을 형성하는 단계;를 포함하며, 제2 방향은 3족 질화물 반도체층의 성장이 제1 방향에 대한 3족 질화물 반도체층의 성장보다 상대적으로 느린 방향인 것을 특징으로 하는 3족 질화물 반도체층을 성장하는 방법에 관한 것이다.