Metadata
Author: patents-wipo
Data
English[en]
A nitride semiconductor light emitting device according to the present invention comprises an n-type nitride semiconductor layer, a strain buffer layer, an active layer, and a p-type nitride semiconductor layer, wherein the active layer comprises a light emitting MQW and a non-light emitting MQW, and the non-light emitting MQW comprises a quantum barrier layer formed of a 4-component nitride semiconductor.
French[fr]
La présente invention porte sur un dispositif émetteur de lumière à semi-conducteurs au nitrure, qui comporte une couche de semi-conducteur au nitrure de type n, une couche de tampon de contraintes, une couche active et une couche de semi-conducteur au nitrure de type p, la couche active comprenant un MQW (puits quantique multiple) émetteur de lumière et un MQW non-émetteur de lumière, et le MQW non-émetteur de lumière comprenant une couche barrière quantique formée d’un semi-conducteur au nitrure à quatre constituants.
Korean[ko]
본 발명에 따른 질화물 반도체 발광소자는 n형 질화물 반도체층, 스트레인 완충층, 활성층 및 p형 질화물 반도체층을 포함하고, 상기 활성층은 발광 MQW 및 비발광 MQW를 포함하며, 상기 비발광 MQW는 4성분계 질화물 반도체로 형성되는 양자장벽층을 포함한다.