Metadata
Author: patents-wipo
Data
English[en]
Disclosed is an integrated circuit which contains carbon nanotube field-effect transistors and which can retain the excellent characteristics of those carbon nanotube field-effect transistors even if the manufacturing process of the integrated circuit involves steps in a plasma environment.
French[fr]
La présente invention concerne un circuit intégré qui contient des transistors à effet de champ à nanotubes de carbone, et qui peut conserver les excellentes caractéristiques de ces transistors à effet de champ à nanotubes de carbone même si le procédé de fabrication du circuit intégré comprend des étapes en environnement plasma.
Japanese[ja]
本発明は、カーボンナノチューブ電界効果トランジスタを含む集積回路であって、その製造プロセスにプラズマ環境下での工程が含まれていても、カーボンナノチューブ電界効果トランジスタの優れた特性を維持できる集積回路に関する。 本発明の集積回路は、1の半導体基板上に配置された、電界効果トランジスタと、MOSトランジスタと、前記電界効果トランジスタと前記MOSトランジスタとを接続するメタル配線と、を含む。