Metadata
Author: patents-wipo
Data
English[en]
The aforementioned intermediate layer is made of a metal oxide material that changes the electron energy level near the interface of the n-type semiconductor layer of the aforementioned first photoelectric conversion layer with the aforementioned intermediate layer or the hole energy level near the interface of the p-type semiconductor layer of the aforementioned second photoelectric conversion layer with the aforementioned intermediate layer, so that the electron energy level of the n-type semiconductor layer of the aforementioned first photoelectric conversion layer and the hole energy level of the p-type semiconductor layer of the aforementioned second photoelectric conversion layer will be close.
French[fr]
La couche intermédiaire susmentionnée est faite d'un matériau de type oxyde métallique qui change le niveau d'énergie d'électrons à proximité de l'interface entre la couche de semi-conducteur de type n de la première couche de conversion photoélectrique susmentionnée et la couche intermédiaire susmentionnée ou le niveau d'énergie de trou d'électrons à proximité de l'interface de la couche de semi-conducteur de type p de la deuxième couche de conversion photoélectrique susmentionnée et de la couche intermédiaire susmentionnée, de telle sorte que le niveau d'énergie d'électrons de la couche de semi-conducteur de type n de la première couche de conversion photoélectrique susmentionnée et le niveau d'énergie de trou d'électrons de la couche de semi-conducteur de type p de la deuxième couche de conversion photoélectrique susmentionnée sont proches.
Japanese[ja]
本発明の光電変換装置は、n型半導体層とp型半導体層とを有する第1光電変換層と、n型半導体層とp型半導体層とを有するとともに前記第1光電変換層と光吸収波長特性が異なる第2光電変換層と、前記第1光電変換層のn型半導体層と前記第2光電変換層のp型半導体層との間に挟まれてトンネル伝導性を有するとともに、透光性の中間層と、が基板上に積層された光電変換装置である。 前記中間層が前記第1光電変換層のn型の半導体層の電子エネルギーレベルと前記第2光電変換層のp型の半導体層の正孔エネルギーレベルとが近づくように、前記第1光電変換層のn型の半導体層の前記中間層との界面近傍の電子エネルギーレベルまたは前記第2光電変換層のp型の半導体層の前記中間層との界面近傍の正孔エネルギーレベルを変化させる金属酸化物材料からなる。