Metadata
Author: WikiMatrix
Data
English[en]
Single-event snapback is similar to SEL but not requiring the PNPN structure, can be induced in N-channel MOS transistors switching large currents, when an ion hits near the drain junction and causes avalanche multiplication of the charge carriers.
Spanish[es]
Similar a los SEL pero no requieren de una estructura PNPN, sino que son inducidos en transistores MOS de canal N que intercambien corrientes elevadas cuando un ion impacta cerca de una unión de drenador y provoca una multiplicación en avalancha de los portadores de carga.