Metadata
Author: patents-wipo
Data
English[en]
The present invention also relates to a light-emitting diode manufactured by the method.
French[fr]
La présente invention concerne également une diode électroluminescente fabriquée par le procédé.
Korean[ko]
본 발명은 건식에칭 시 나노구조체와 반도체층 간의 에칭속도(에칭비) 차이를 이용하여 건식에칭 조건의 변화를 통해 반도체층에 생성되는 요철부의 경사각을 조절함으로써, 광 추출 효율이 향상된 발광다이오드를 제조하는 방법과 이 방법에 의해 제조된 발광다이오드에 관한 것이다.