Metadata
Author: patents-wipo
Data
English[en]
The acute angle formed by the heterointerface (4) and a surface of the ohmic electrode (6), said surface being in contact with the second semiconductor layer (2), is set to be 60° or more but 85° or less.
French[fr]
L'angle aigu formé par l'hétéro-interface (4) et une surface de l'électrode ohmique (6), ladite surface étant en contact avec la seconde couche de semi-conducteur (2), est établi pour être de 60° ou plus mais de 85° ou moins.
Japanese[ja]
窒化物半導体装置は、基板上に形成された窒化物半導体の第1半導体層(1)と、上記第1半導体層(1)上に積層されて、ヘテロ界面(4)を形成する窒化物半導体の第2半導体層(2)と、上記第1半導体層(1)の上記第2半導体層(2)とのヘテロ界面(4)に形成された二次元電子層(5)と、上記第2半導体層(2)を貫通して上記第1半導体層(1)の一部まで到達する凹部(7)と、上記凹部(7)内に一部が埋め込まれたオーミック電極(6)を備え、上記へテロ界面(4)と、上記オーミック電極(6)における上記第2半導体層(2)との接触面とが成す鋭角側の角度が60°以上且つ85°以下に設定されている。