Metadata
Author: patents-wipo
Data
English[en]
Disclosed is a method for selectively plasma nitriding silicon at a high nitriding rate and a high nitrogen dose amount on an object to be treated in which a silicon surface and a silicon compound layer have been exposed.
French[fr]
L'invention concerne un procédé de nitruration sélective de silicium par plasma, caractérisé par une grande vitesse de nitruration et une dose quantitative élevée d'azote sur un objet à traiter dont une surface de silicium et une couche de composé de silicium ont été exposées.
Japanese[ja]
シリコン表面とシリコン化合物層とが露出した被処理体に対して、選択的にシリコンを高い窒化レートと高い窒素ドーズ量でプラズマ窒化処理する方法が提供される。 選択的プラズマ窒化処理は、処理圧力を66.