Metadata
Author: patents-wipo
Data
English[en]
By applying epitaxial treatment after the above, bump defects on the surface of the epitaxial wafer resulting from the PIDs can be prevented.
French[fr]
Par application d'un traitement épitaxial après ce qui précède, des défauts de protubérance sur la surface de la tranche épitaxiale résultant des PID peuvent être empêchés.
Japanese[ja]
鏡面研磨を施した後、エピタキシャル層を形成する前に、オゾンガスを用いてシリコンウェーハの表面を酸化させるオゾンガス処理、フッ化水素蒸気を用いてシリコンウェーハの酸化した表面を溶解させ除去するフッ化水素蒸気処理、およびシリコンウェーハの表面に残存する異物を除去する洗浄を行うことにより、鏡面研磨で発生したPID(Polishing Induced Defect)が強制酸化されるとともに溶解して除去され、その後にエピタキシャル処理を施すことにより、エピタキシャルウェーハの表面でPIDに起因した凸欠陥の発生を防止することができる。