Metadata
Author: patents-wipo
Data
English[en]
Provided is a method for writing to a variable-resistance type non-volatile storage element in which a voltage pulse is applied to a memory cell containing a variable-resistance element, to thereby reversibly vary the variable-resistance element between a first resistance state and a second resistance state by means of the polarity of the applied voltage pulse.
French[fr]
L'invention concerne un procédé d'écriture sur un élément de stockage non volatil de type à résistance variable, dans lequel une impulsion de tension est appliquée à une cellule de mémoire contenant un élément à résistance variable, pour faire varier ainsi de manière réversible l'élément à résistance variable entre un premier état de résistance et un second état de résistance au moyen de la polarité de l'impulsion de tension appliquée.
Japanese[ja]
本発明の抵抗変化型不揮発性記憶素子の書き込み方法は、抵抗変化素子を含むメモリセルに対して電圧パルスを印加することにより、抵抗変化素子を、印加される電圧パルスの極性によって第1の抵抗状態と第2の抵抗状態とを可逆的に変化させる書き込み方法であって、抵抗変化素子を第2の抵抗状態から第1の抵抗状態に変化せしめる時に、抵抗変化素子に対して、第2の電圧パルス(VL)よりも電圧の絶対値が小さく、かつ、第1の電圧パルス(VH)と極性が異なる第1の抵抗化プレ電圧パルス(VLpr)を印加する第1ステップと、その後、第1の電圧パルス(VH)を印加する第2ステップとを含む第1の抵抗状態化ステップを含む。