Metadata
Author: patents-wipo
Data
English[en]
A power MOSFET having a trench gate, of the present invention, comprises: an N+ substrate; an N- epitaxial layer formed on the N+ substrate; a P- body layer including a P+ body formed on the N- epitaxial layer; an N+ source area formed within a part of the P- body layer; a trench penetrating the N+ source area and the P- body layer so as to reach the N- epitaxial layer; a gate insulation film and a gate electrode formed within the trench; a source electrode connected to the N+ source area; and an insulation film formed on the gate electrode so as to separate the gate electrode and the source electrode, wherein the trench has a curvature diameter of a predetermined value or more at a corner part meeting the N+ source area and a corner part of a bottom of the trench.
Korean[ko]
본 발명의 트렌치 게이트를 구비한 파워 모스펫은 N+ 기판; 상기 N+ 기판 상에 형성된 N- 에피텍셜 층; 상기 N- 에피텍셜 층 상에 형성된 P+ 바디를 포함하는 P- 보디 층; 상기 P- 보디 층의 일부 내에 형성된 N+ 소스 영역; 상기 N+ 소스 영역 및 상기 P- 보디 층을 관통하여 상기 N- 에피텍셜 층에 이르는 트렌치; 상기 트렌치 내에 형성된 게이트 절연막 및 게이트 전극; 상기 N+ 소스 영역에 접속된 소스 전극; 및 상기 게이트 전극과 상기 소스 전극을 분리하기 위하여 상기 게이트 전극 위에 형성된 절연막을 포함하며, 상기 트렌치는 상기 N+ 소스 영역과 만나는 코너 부분 및 상기 트렌치 바닥의 코너 부분에서 소정 값 이상의 곡률직경을 갖는다.