Besonderhede van voorbeeld: -8841696134362638462

English

The newly-developed organic CMOS image sensor technology uses organic photoelectric conversion layer with high absorption coefficient instead of the silicon photodiode, reducing the thickness of the light receiving section down to 0.5 microns, i.e. one severalth of the thickness of a silicon photodiode.

Spanish

La tecnología de sensor de imagen CMOS orgánico de nuevo desarrollo emplea una capa de conversión fotoeléctrica orgánica con un coeficiente de absorción elevado en lugar del fotodiodo de silicio, reduciendo el grosor de la sección receptora de luz hasta 0,5 micras, es decir, una parte del grosor de un fotodiodo de silicio.