Metadata
Author: EurLex-2
Data
Greek[el]
τρεις το πολύ ηλεκτρικές εξόδους περιλαμβάνουσα η καθεμία δύο διακόπτες ισχύος (είτε MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor) είτε IGBT (Insulated Gate Bi-polar Transistors)) και εσωτερικούς μηχανισμούς,
English[en]
not more than three electrical outputs each containing two power switches (whether MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor) or IGBT (Insulated Gate Bi-polar Transistors)) and internal drives, and
Finnish[fi]
joissa on korkeintaan kolme sähköistä lähtöä, joissa kussakin on kaksi tehokytkintä (joko MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor) tai IGBT (Insulated Gate Bi-polar Transistors)) ja sisäistä asemaa, ja
Croatian[hr]
ne više od tri izlaza s dvije napojne sklopke po svakom (ili MOSFET (tranzistor sa efektom polja na bazi spoja metal–oksid–poluvodič) ili IGBT (bipolarni tranzistor s izoliranom upravljačkom elektrodom)) i svojim uzbudama, i
Hungarian[hu]
legfeljebb három elektromos kimenettel, mindegyik két teljesítménykapcsolóval (MOSFET (fém-oxid félvezető térvezérlésű tranzisztor) vagy IGBT (szigetelt kapus bipoláris tranzisztor)) és belső meghajtókkal,
Latvian[lv]
ne vairāk kā trīs elektriskie izvadi, kam katram ir divi jaudas slēdži (vai nu MOSFET (metāla oksīdu lauktranzistori), vai IGBT (izolēta slēdža bipolārie tranzistori)) un iekšējā piedziņa,
Maltese[mt]
mhux aktar minn tliet outputs elettriċi li kull wieħed fih żewġ swiċċijiet tal-enerġija elettrika (jew tranżisters MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor) jew tranżisters IGBT (Insulated Gate Bi-polar Transistors)) u drives interni, u
Portuguese[pt]
não mais de três saídas eléctricas em cada um com dois interruptores de energia (ou MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor), ou IGBT (Insulated Gate Bi-polar Transistors)), e drives internas, e
Slovak[sk]
nie viac ako tri elektrické výstupy, z ktorých každý obsahuje výkonový spínač (tranzistor typu MOSFET (tranzistor riadený poľom so štruktúrou kov-oxid-polovodič) alebo IGBT (bipolárny tranzistor s izolovaným hradlom)) a
Slovenian[sl]
največ tremi električnimi izhodi, od katerih je vsak opremljen z dvema stikaloma (MOSFET (polprevodniški poljski tranzistor s kovinskim oksidom) ali IGBT (bipolarni tranzistorji z izoliranimi vrati)) in