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Author: WikiMatrix
Data
English[en]
Magnetoresistive random-access memory (MRAM) is a non-volatile random-access memory technology available today that began its development in mid-1980s.
Korean[ko]
자기 저항 메모리(Magnetoresistive random-access memory, MRAM, 엠램)는 비휘발성 컴퓨터 메모리 기술이며 1990년대부터 개발이 진행 중이다.