Metadata
Author: patents-wipo
Data
English[en]
Provided is a crystalline oxide semiconductor thin film comprising only a bixbyite-structured In2O3 phase, suitable as a channel layer material for a thin film transistor, and having excellent etching properties in an amorphous state and a low carrier concentration and high carrier mobility in a crystalline state.
French[fr]
L'invention fournit une couche mince semi-conductrice à oxyde cristalline qui présente d'excellentes propriétés de gravure à l'état amorphe, et qui possède une faible concentration en porteurs de charge et une mobilité de porteurs de charge élevée à l'état cristallin, qui est adaptée en tant que matériau de couche de canal pour un transistor à couches minces, et qui est constituée uniquement d'une phase In2O3 de structure type bixbyite.
Japanese[ja]
非晶質状態においては、エッチング性に優れ、かつ、結晶質状態では、低いキャリア濃度および高いキャリア移動度を有し、薄膜トランジスタのチャネル層材料として好適な、ビックスバイト型構造のIn2O3 相のみからなる結晶質の酸化物半導体薄膜を提供する。 インジウム、ガリウム、酸素および不可避不純物からなり、前記ガリウムの含有量が、Ga/(In+Ga)原子数比で0. 09~0.