Metadata
Author: patents-wipo
Data
English[en]
A flash memory is formed in such a manner that plural flash memory devices are arranged in N×M matrixes, wherein each memory device forms an array by sharing the pin channel and the gates with adjacent memory devices.
French[fr]
Une mémoire flash est constituée de telle sorte que plusieurs dispositifs à mémoire flash sont agencés dans des matrices N x M, chacun desdits dispositifs à mémoire flash formant un ensemble par partage du canal de broche avec des dispositifs de mémoire adjacents.
Korean[ko]
멀티비트 플래시 메모리 소자는 실리콘 기판, 핀 채널, 제1절연층, 순차적으로 적층된 터널링 절연층, 전하트랩층 및 블로킹 절연층을 포함하는 복수의 유전층, 복수의 제2절연층 및 복수의 게이트를 포함하고, 플래시 메모리는 복수의 플래시 메모리 소자가 N×M의 매트릭스 형태로 배열되어 이루어지며 각각의 메모리 소자는 인접한 메모리 소자와 상기 핀 채널 및 상기 게이트를 공유하여 어레이를 이룬다.