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Author: patents-wipo
Data
English[en]
The present invention relates to a LED manufacturing method, which practices selective crystal growth only in the apex area of a semiconductor layer made of GaN in the shape of a hexagonal pyramid, thereby forming an active layer having a wavelength range from blue to red colors to manufacture a white LED, and a LED manufactured by the same, the method comprising the steps of: forming a first semiconductor layer (1); forming a second semiconductor layer (5) on the first semiconductor layer (1) by selective crystal growth such that the second semiconductor layer (5) has a pointed vertex portion; forming a third semiconductor layer (8) on the vertex portion of the second semiconductor layer (5) by selective crystal growth such that the third semiconductor layer (8) has various crystal faces; and forming a semiconductor layer (9), which includes an active layer, on the third semiconductor layer (8).
Korean[ko]
본 발명은 육각형 GaN의 피라미드의 반도체층의 꼭대기영역에만 선택적 결정성장을 실시하여, 백색 LED 제조를 위해 청색에서 적색까지의 파장범위를 가지는 활성층을 형성할 수 있도록 하는 LED의 제조방법 및 이에 의해 제조된 LED에 관한 것으로, 제 1 반도체층(1)을 형성하는 단계, 제 1 반도체층(1) 위에 선택적 결정 성장에 의해 꼭지점 부분이 뾰족한 형태의 제 2 반도체층(5)을 형성하는 단계, 제 2 반도체층(5)의 꼭지점 부분에 선택적 결정성장에 의해 다양한 결정면을 가지는 제 3 반도체층(8)을 형성하는 단계 및 제 3 반도체층(8) 위에 활성층을 포함하는 반도체층(9)을 형성하는 단계로 구성된다.