Metadata
Author: patents-wipo
Data
English[en]
If t1 is the film thickness of the first silicon oxide film, t2 is the film thickness of the second silicon oxide film and R2 is t2/(t1 + t2), namely the ratio of the film thickness of the second silicon oxide film relative to the sum of the film thickness of the first silicon oxide film and the film thickness of the second silicon oxide film, t1, t2 and R2 satisfy relational expressions 0.10 [μm] ≤ t1 ≤ 2.00 [μm] and R2 ≥ 0.70.
French[fr]
Si t1 est l'épaisseur de film du premier film d'oxyde de silicium, t2 est l'épaisseur de film du deuxième film d'oxyde de silicium et R2 vaut t2/(t1 + t2), autrement dit le rapport de l'épaisseur de film du deuxième film d'oxyde de silicium à la somme de l'épaisseur de film du premier film d'oxyde de silicium et de l'épaisseur de film du deuxième film d'oxyde de silicium, t1, t2 and R2 satisfont les expressions relationnelles 0,10 [μm] ≤ t1 ≤ 2,00 [μm] and R2 ≥ 0,70.
Japanese[ja]
ダイアフラム型共振MEMSデバイスの製造方法は、シリコン基板の第1の面に、熱酸化により、又は900°C以上の熱処理を含むプロセスにより形成する第1のシリコン酸化膜、絶対値が100[MPa]以下の応力を有する第2のシリコン酸化膜、下部電極、圧電体膜、上部電極を当該順に積層する積層工程と、シリコン基板の第1の面の反対側の面を、深堀り反応性イオンエッチングにより第1のシリコン酸化膜に到達するまでエッチング加工して凹部を形成するエッチング工程とを含み、第1のシリコン酸化膜の膜厚をt1、第2のシリコン酸化膜の膜厚をt2、第1のシリコン酸化膜の膜厚と第2のシリコン酸化膜の膜厚との和に対する第2のシリコン酸化膜の膜厚の割合t2/(t1+t2)をR2とすると、0.10[μm]≦t1≦2.00[μm]、かつ、R2≧0.