Metadata
Author: patents-wipo
Data
English[en]
In order to achieve an ultraviolet-erasable nonvolatile semiconductor device having high humidity resistance and ultraviolet erasure capability, a protective film is provided with a silicon nitride film (12) and a silicon oxynitride film (13), the silicon nitride film (12) and the silicon oxynitride film (13) acting together to prevent moisture from entering the ultraviolet-erasable nonvolatile semiconductor device, and the silicon nitride film (12) being of sufficient thickness to prevent data erasure using ultraviolet radiation in a nonvolatile semiconductor storage element (17) from requiring excessive time.
French[fr]
Selon l'invention, afin d'obtenir un dispositif semi-conducteur non volatil effaçable par ultraviolets ayant une résistance élevée à l'humidité et une capacité d'effacement par des ultraviolets, un film protecteur comprend un film de nitrure de silicium (12) et un film d'oxynitrure de silicium (13), le film de nitrure de silicium (12) et le film d'oxynitrure de silicium (13) agissant ensemble pour éviter que de l'humidité n'entre dans le dispositif semi-conducteur non volatil effaçable par ultraviolets, et le film de nitrure de silicium (12) étant d'épaisseur suffisante pour éviter qu'un effacement de données, à l'aide d'un rayonnement ultraviolet dans un élément de stockage semi-conducteur non volatil (17), ne nécessite un temps excessif.
Japanese[ja]
耐湿性が高く、且つ、紫外線消去可能な紫外線消去型の不揮発性半導体装置とするために、保護膜は、シリコン窒化膜12及びシリコン酸窒化膜13を備え、シリコン窒化膜12及びシリコン酸窒化膜13は、共同して、紫外線消去型の不揮発性半導体装置への水分進入を防止するとともに、シリコン窒化膜12は、紫外線照射による不揮発性半導体記憶素子17のデータ消去時間が長くならない膜厚を有する。