Metadata
Author: patents-wipo
Data
English[en]
One thin-film transistor (100) is provided with layered oxides (30), between a gate electrode (220) and a channel (40), comprising a layer (32) that is in contact with a gate electrode (20) and that comprises a first oxide (which may contain unavoidable impurities) containing bismuth (Bi) and niobium (Nb), and a layer (34) that is contact with the channel (40) and that comprises a second oxide (which may contain unavoidable impurities) which is one type selected from a group consisting of an oxide containing lanthanum (La) and tantalum (Ta), an oxide containing lanthanum (La) and zirconium (Zr), and an oxide containing strontium (Sr) and tantalum (Ta); and the channel (40) is a channel oxide (which may contain unavoidable impurities) and comprises indium (In) and zinc (Zn).
French[fr]
L'invention concerne un transistor (100) à film mince muni d'oxydes stratifiés (30) entre une électrode (220) de grille et un canal (40), comportant une couche (32) qui est en contact avec une électrode (20) de grille et qui comporte un premier oxyde (susceptible de contenir des impuretés inévitables) contenant du bismuth (Bi) et du niobium (Nb), et une couche (34) qui est en contact avec le canal (40) et qui comporte un deuxième oxyde (susceptible de contenir des impuretés inévitables) d'un type choisi dans un groupe constitué d'un oxyde contenant du lanthane (La) et du tantale (Ta), d'un oxyde contenant du lanthane (La) et du zirconium (Zr) et d'un oxyde contenant du strontium (Sr) et du tantale (Ta) ; et le canal (40) est un oxyde de canal (susceptible de contenir des impuretés inévitables) et comporte de l'indium (In) et du zinc (Zn).
Japanese[ja]
本発明の1つの薄膜トランジスタ100は、ゲート電極220とチャネル40との間に、ゲート電極20に接する、ビスマス(Bi)とニオブ(Nb)とからなる第1酸化物(不可避不純物を含み得る)の層32と、チャネル40に接する、ランタン(La)とタンタル(Ta)とからなる酸化物、ランタン(La)とジルコニウム(Zr)とからなる酸化物、及びストロンチウム(Sr)とタンタル(Ta)とからなる酸化物の群から選択される1種の第2酸化物(不可避不純物を含み得る)の層34との積層酸化物30を備え、チャネル40が、インジウム(In)と亜鉛(Zn)とからなるチャネル用酸化物(不可避不純物を含み得る)である。