Metadata
Author: patents-wipo
Data
English[en]
In the step of epitaxially growing a p-type group 3-5 compound semiconductor on the base substrate, the flow rate of the impurity gas and the flow rate ratio of the group 5 starting material gas to the group 3 starting material gas are set so that the product of the residual carrier concentration (N) (cm-3) and the thickness (d) (cm) of the p-type group 3-5 compound semiconductor, namely N × d (cm-2) is not more than 8.0 × 1011.
French[fr]
Dans l'étape de croissance épitaxiale d'un semi-conducteur composé du groupe 3-5 de type p sur le substrat de base, le débit du gaz d'impureté et le rapport de débit du gaz de matériau de départ du groupe 5 sur le gaz de matériau de départ du groupe 3 sont réglés de telle manière que le produit de la concentration en porteurs résiduelle (N) (cm-3) par l'épaisseur (d) (cm) du semi-conducteur composé du groupe 3-5 de type p, à savoir N x d (cm-2), est inférieur ou égal à 8,0 × 1011.
Japanese[ja]
ベース基板を反応容器の内部に設置する段階と、反応容器に、3族元素の有機金属化合物からなる3族原料ガス、5族元素からなる5族原料ガス、および、半導体内にドープされてドナーとなる不純物を含む不純物ガスを供給して、ベース基板にp型3-5族化合物半導体をエピタキシャル成長させる段階とを備え、ベース基板にp型3-5族化合物半導体をエピタキシャル成長させる段階において、不純物ガスの流量、および3族原料ガスに対する5族原料ガスの流量比を、p型3-5族化合物半導体の残留キャリア濃度N(cm-3)および厚さd(cm)の積N×d(cm-2)が8.