Metadata
Author: Eurlex2019
Data
Bulgarian[bg]
Високочестотен усилвател от галиев нитрид (GaN), състоящ се от един или повече дискретни транзистори, един или повече дискретни елементи — чип-кондензатори —, дори с вградени пасивни устройства (IPD) върху метален фланец в корпус
Czech[cs]
Vysokofrekvenční zesilovač na bázi nitridu gallitého (GaN) sestávající z jednoho nebo více diskrétních tranzistorů, jednoho nebo více diskrétních kondenzátorových čipů, též s integrovanými pasivními prvky (IPD), na kovové přírubě v pouzdru
Danish[da]
Galliumnitridbaseret (GaN-baseret) højfrekvensforstærker bestående af en eller flere separate transistorer, en eller flere separate kondensatorchips, også med integrerede passive anordninger (IPD'er), anbragt på en bærer i en indkapsling
German[de]
Galliumnitrid (GaN) Hochfrequenzverstärker, bestehend aus einem oder mehreren diskreten Transistoren, einem oder mehreren diskreten Kondensatorchips, auch mit sog. IPD (integrated passive devices), auf einem Metallflansch in einem Gehäuse montiert
Greek[el]
Ενισχυτής υψηλών συχνοτήτων από νιτρίδιο του γαλλίου (GaN) που αποτελείται από ένα ή περισσότερα διακριτά τρανζίστορ, μία ή περισσότερες διακριτές πλακέτες πυκνωτή, έστω και με ολοκληρωμένες παθητικές διατάξεις (IPD) επί μεταλλικής πλάκας εντός περιβλήματος
English[en]
Gallium nitride (GaN) high-frequency amplifier consisting of one or more discrete transistors, one or more discrete capacitor chips, whether or not with IPD (integrated passive devices) on a metal flange in a housing
Spanish[es]
Amplificador de alta frecuencia de nitruro de galio (GaN) compuesto de uno o varios transistores discretos, uno o varios microcircuitos de condensadores discretos, incluso con dispositivos pasivos integrados (IPD) sobre una brida metálica alojados en una carcasa
Estonian[et]
Galliumnitriidist (GaN) kõrgsagedusvõimendi, mis koosneb korpuses paiknevale metalläärikule kinnitatud ühest või mitmest diskreetsest lülitusest, ühest või mitmest diskreetsest kondensaatorkiibist ja millel võivad olla integreeritud passiivseadmed (IPD)
Finnish[fi]
Galliumnitridi- (GaN) korkeataajuusvahvistin, joka koostuu koteloidulle alustalle asennetuista yhdestä tai useammasta integroidusta piiristä, yhdestä tai useammasta kondensaattorisirusta, myös jos siinä on integroituja passiivisia komponentteja (integrated passive device – IPD)
French[fr]
Amplificateur à haute fréquence à nitrure de gallium (GaN) constitué d’un ou de plusieurs circuits intégrés, d'une ou plusieurs puces de condensateurs et de composants facultatifs passifs intégrés («IPD») montés sur une flasque métallique intégrée dans un boîtier
Croatian[hr]
Visokofrekvencijsko pojačalo od galijeva nitrida (GaN) koje se sastoji od jednog ili više diskretnih tranzistora, jednog ili više diskretnih kondenzatorskih čipova, neovisno o tome jesu li ili ne s ugrađenim pasivnim uređajima (IPD) na metalnoj prirubnici u kućištu
Hungarian[hu]
Gallium-nitrid (GaN) nagyfrekvenciás erősítő, amely legalább egy diszkrét tranzisztorból, legalább egy kondenzátorcsipből és akár integrált passzív eszközökből is (IPD) áll, egy tokban lévő fém szerelőperemen
Italian[it]
Amplificatore ad alta frequenza a nitruro di gallio (GaN), che consiste in uno o più transistor discreti , uno o più chip condensatori discreti, munito o meno di dispositivi passivi integrati ("IPD"), montati su flangia metallica in apposito alloggiamento
Lithuanian[lt]
Galio nitrido (GaN) aukšto dažnio stiprintuvas, kurį sudaro vienas arba daugiau atskirų tranzistorių, vienas arba daugiau atskirų kondensatorių lustų ir su integruotaisiais pasyviaisiais įtaisais (IPD), sumontuotais korpuse ant metalinės jungės, arba be jų
Latvian[lv]
Gallija nitrīda (GaN) augstfrekvences pastiprinātājs, kas sastāv no viena vai vairākiem diskrētiem tranzistoriem, vienas vai vairākām diskrētām kondensatora mikroshēmām, arī ar integrētām pasīvām ierīcēm (IPD); viss minētais ir uz metāla atloka un korpusā
Maltese[mt]
Amplifikatur ta' frekwenza għolja tan-nitrur tal-gallju (GaN) b'ċirkwit integrat wieħed jew iktar, ċippa tal-capacitor waħda jew iktar u apparati passivi integrati opzjonali ("IPD") immuntat fuq substrat ġo kompartiment
Dutch[nl]
Galliumnitride (GaN) hoogfrequente versterkers, bestaande uit één of meer discrete transistors, één of meer discrete condensatorchips, ook indien met IPD (geïntegreerde passieve apparaten) op een metalen flens in een behuizing
Polish[pl]
Wzmacniacz wysokiej częstotliwości z azotku galu (GaN), składający się z jednego lub kilku tranzystorów dyskretnych, jednego lub kilku dyskretnych chipów kondensatorowych nawet ze IPD (zintegrowane elementy bierne) na metalowym kołnierzu, w obudowie
Portuguese[pt]
Amplificador de alta frequência de nitreto de gálio (GaN) constituído por um ou mais transístores discretos, um ou mais condensadores em pastilhas discretos, mesmo com dispositivos passivos integrados sobre um rebordo metálico num invólucro
Romanian[ro]
Amplificator de înaltă frecvență cu nitrură de galiu (GaN), format din unul sau mai multe tranzistoare, unul sau mai multe cipuri de condensatoare discrete, chiar cu dispozitive pasive integrate (DPI) montate pe suport metalic, încastrat
Slovak[sk]
Vysokofrekvenčný zosilňovač z nitridu gália (GaN) pozostávajúci z jedného alebo viacerých diskrétnych tranzistorov, jedného alebo viacerých diskrétnych kondenzátorových čipov, tiež s integrovanými pasívnymi zariadeniami (IPD) na kovovej prírube v kryte
Slovenian[sl]
Visokofrekvenčni ojačevalnik iz galijevega nitrida (GaN), sestavljen iz enega ali več diskretnih tranzistorjev, enega ali več diskretnih kondenzatorskih čipov in neobveznih integriranih pasivnih naprav (IPD) na kovinski prirobnici v ohišju
Swedish[sv]
Galliumnitrid-(GaN)-HF-förstärkare bestående av en eller flera diskreta transistorer, ett eller flera diskreta kondensatorchips, även med integrerade passiva komponenter (IPD), på en metallfläns i ett hölje