Metadata
Author: patents-wipo
Data
English[en]
This nitride semiconductor laser element is characterized in being provided with: a semiconductor laminated body, which is formed of a III nitride semiconductor, and which has a light emitting end surface; and a protection film formed of a dielectric multilayer film that is formed to cover the light emitting end surface of the semiconductor laminated body.
French[fr]
Ledit élément laser à semi-conducteur au nitrure est caractérisé en ce qu'il comprend : un corps semi-conducteur stratifié, constitué d'un semi-conducteur au nitrure du groupe III et présentant une surface d'extrémité électroluminescente; et un film de protection constitué d'un film diélectrique multicouche formé de manière à couvrir la surface d'extrémité électroluminescente du corps semi-conducteur stratifié.
Japanese[ja]
III族窒化物半導体からなり、発光端面を有する半導体積層体と、半導体積層体における発光端面を覆うように形成された誘電体多層膜からなる保護膜を備え、保護膜は端面保護層と酸素拡散抑制層から構成され、発光端面から端面保護層と酸素拡散抑制層の順に配置されており、端面保護層は、アルミニウムを含む窒化物からなる結晶性膜を含んだ層であり、酸素拡散抑制層は金属酸化物膜をシリコン酸化膜が挟んだ構造であり、金属酸化物膜はレーザ光によって結晶化することを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。