Metadata
Author: eurlex-diff-2017
Data
Bulgarian[bg]
— не повече от три електрически изхода, всеки от които съдържа два мощни ключа (или MOS-транзистор – полеви транзистор със структура „метал-окис-полупроводник“, или транзистор IGBT (биполярен транзистор с изолиран гейт) и
Czech[cs]
— obsahující nejvýše tří elektrické výstupy, z nichž každý obsahuje dva výkonové spínače (buď MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor – tranzistory řízené elektrickým polem z polovodičů na bázi oxidů kovů) nebo IGBT (Insulated Gate Bi-polar Transistors – bipolární tranzistory s izolovanou elektrodou G)) a vnitřní ovladače,
Danish[da]
— højst tre elektriske udtag, der hver indeholder to effektafbrydere (enten MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor) eller IGBT (Insulated Gate Bi-polar Transistors)) og interne drev,
German[de]
— nicht mehr als drei elektrischen Ausgängen mit je zwei Netzschaltern (entweder MOSFET (Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor) oder IGBT (Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode) und internen Laufwerken und
Greek[el]
— τρεις το πολύ ηλεκτρικές εξόδους περιλαμβάνουσα η καθεμία δύο διακόπτες ισχύος (είτε MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor) είτε IGBT (Insulated Gate Bi-polar Transistors)) και εσωτερικούς μηχανισμούς,
English[en]
— not more than three electrical outputs each containing two power switches (whether MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor) or IGBT (Insulated Gate Bi-polar Transistors)) and internal drives, and
Spanish[es]
— tres salidas eléctricas, como máximo, cada una de las cuales incluye dos interruptores eléctricos MOSFET (Transistor de efecto de campo de óxido de metal semiconductor - Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor) o IGBT (Transistor bipolar de puerta aislada - Insulated Gate Bi-polar Transistors)) y controles (drives) internos, y
Estonian[et]
— on varustatud kuni kolme elektriväljundiga, millest igaühes on kaks koormuslülitit, kas MOSFET (metall-oksiid-pooljuht väljatransistorid) või IGBT (isoleeritud paisuga bipolaartransistorid), ja
Finnish[fi]
— joissa on korkeintaan kolme sähköistä lähtöä, joissa kussakin on kaksi tehokytkintä (joko MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor) tai IGBT (Insulated Gate Bi-polar Transistors)) ja sisäistä asemaa, ja
French[fr]
— dotés de trois sorties électriques au maximum munies chacune de deux interrupteurs [MOSFET (transistor à effet de champ à oxydes métalliques) ou IGBT (transistor bipolaire à grille isolée)] et d’unités internes et
Croatian[hr]
— ne više od tri izlaza s dvije napojne sklopke po svakom (ili MOSFET (tranzistor sa efektom polja na bazi spoja metal–oksid–poluvodič) ili IGBT (bipolarni tranzistor s izoliranom upravljačkom elektrodom)) i svojim uzbudama, i
Hungarian[hu]
— legfeljebb három elektromos kimenettel, mindegyik két teljesítménykapcsolóval (MOSFET (fém-oxid félvezető térvezérlésű tranzisztor) vagy IGBT (szigetelt kapus bipoláris tranzisztor)) és belső meghajtókkal,
Italian[it]
— con non più di tre uscite elettriche, contenenti ciascuna due interruttori di potenza (di tipo MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor, transistor metallo-ossido-semiconduttore a effetto di campo) o IGBT (Insulated Gate Bi-polar Transistors, transistor bipolare con gate isolato)) e drive interni e
Lithuanian[lt]
— turintys ne daugiau kaip tris elektros lizdus, iš kurių kiekvienas turi du elektros jungiklius (MOSFET (metalo, oksido ir puslaidininkio tranzistorių) arba IGBT (dvipolius tranzistorius su izoliuota užtūra)) ir vidinius diskus,
Latvian[lv]
— ne vairāk kā trīs elektriskie izvadi, kam katram ir divi jaudas slēdži (vai nu MOSFET (metāla oksīdu lauktranzistori), vai IGBT (izolēta slēdža bipolārie tranzistori)) un iekšējā piedziņa,
Maltese[mt]
— mhux aktar minn tliet outputs elettriċi li kull wieħed fih żewġ swiċċijiet tal-enerġija elettrika (jew tranżisters MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor) jew tranżisters IGBT (Insulated Gate Bi-polar Transistors)) u drives interni, u
Dutch[nl]
— niet meer dan drie elektrische uitgangen met elk twee vermogensschakelaars (MOSFET (metaaloxide-halfgeleider-veldeffecttransistor) of IGBT (bipolaire transistor met geïsoleerde poort)) en interne drives, en
Polish[pl]
— nie więcej niż trzy wyjścia elektryczne, z których każde posiada dwa wyłączniki zasilania (MOSFET (tranzystor polowy typu metal-tlenek-półprzewodnik) lub IGBT (tranzystor bipolarny z izolowaną bramką)), i napędy wewnętrzne, oraz
Portuguese[pt]
— não mais de três saídas eléctricas em cada um com dois interruptores de energia (ou MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor), ou IGBT (Insulated Gate Bi-polar Transistors)), e drives internas, e
Romanian[ro]
— cel mult trei ieșiri electrice, fiecare conținând două întrerupătoare (MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor, tranzistor cu efect de câmp cu metal oxid) sau IGBT (Insulated Gate Bi-polar Transistors, tranzistor bipolar cu grilă izolată)) și unități interne, și
Slovak[sk]
— nie viac ako tri elektrické výstupy, z ktorých každý obsahuje výkonový spínač (tranzistor typu MOSFET (tranzistor riadený poľom so štruktúrou kov-oxid-polovodič) alebo IGBT (bipolárny tranzistor s izolovaným hradlom)) a
Slovenian[sl]
— največ tremi električnimi izhodi, od katerih je vsak opremljen z dvema stikaloma (MOSFET (polprevodniški poljski tranzistor s kovinskim oksidom) ali IGBT (bipolarni tranzistorji z izoliranimi vrati)) in
Swedish[sv]
— högst tre elutgångar med vardera två strömbrytare (MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor) eller IGBT (Insulated Gate Bi-polar Transistors)) och inbyggda enheter, samt