Metadata
Author: cordis
Data
German[de]
Das Züchten von GaN-Schichten in unterschiedlichen Kristallorientierungen sowie von Quantum-Well-Strukturen mit einem hohen Grad der Dotierung half dabei, Polarisations-bezogene interne elektrische Felder zu reduzieren, die typischerweise die Leistung herkömmlicher GaN-basierter LEDs begrenzen.
English[en]
Growing GaN films in different crystal orientations in addition to growing quantum well structures with high levels of doping helped reduce polarisation-related internal electric fields that typically limit performance of conventional GaN-based LEDs.
Spanish[es]
El crecimiento de láminas de GaN con distintas orientaciones cristalinas además de la obtención de estructuras de pozos cuánticos con altos niveles de dopaje ayudó a reducir los campos eléctricos internos relacionados con la polarización que, por lo general, limitan el rendimiento de los LED convencionales a base de GaN.
French[fr]
La croissance des couches de GaN sur d'autres faces du cristal, ainsi que celle de structures de puits quantiques avec un fort dopage, a contribué à réduire les champs électriques internes associés à la polarisation, qui limitent généralement les performances des LED au GaN classique.
Italian[it]
La crescita di film di GaN in orientamenti di cristallo differenti oltre alla crescita in strutture a pozzi quantici con alti livelli di drogaggio ha contribuito a ridurre i campi elettrici interni correlati alla polarizzazione, che in genere limitano le prestazioni dei LED con GaN convenzionali.
Polish[pl]
Wyhodowanie warstw GaN o różnej orientacji kryształów oraz uzyskanie struktur studni kwantowych o wysokim poziomie domieszkowania pomogło w ograniczeniu związanych z polaryzacją wewnętrznych pól elektrycznych, które zwykle ograniczają wydajność konwencjonalnych diod LED opartych o GaN.