Metadata
Author: patents-wipo
Data
English[en]
In the field effect semiconductor device, the threshold voltage is controlled by applying a voltage to the silicon supporting substrate (1) and holding an electrical charge in the silicon nitride film (3) for a certain amount of time by the direct tunneling effect.
French[fr]
Dans le dispositif semi-conducteur à effet de champ, la tension de seuil est contrôlée en appliquant une tension au substrat de support en silicium (1) et en maintenant la charge électrique dans la pellicule de nitrure de silicium (3) pendant une certaine durée par effet tunnel direct.
Japanese[ja]
シリコン半導体支持基板1の上面に設けられた積層膜(3nm以上4nm以下の第1のシリコン酸化膜2/0.3nm以上2nm以下のシリコン窒化膜3/5nm以上10nm以下の第2のシリコン酸化膜4/3nm以上20nm以下の膜厚)を有するSOI層5と、上記構造に所定の間隔を介して互いに対向して設けられたソース・ドレイン拡散層6と、当該ソース拡散層とドレイン拡散層の間の上記半導体基板の表面上に形成されたゲート絶縁膜7と、上記ゲート絶縁膜の上に形成されたゲート電極8を具備してなる電界効果型半導体装置において、シリコン支持基板1から電圧を印加することにより、直接トンネル効果によって電荷をシリコン窒化膜3に一定時間保持してしきい電圧を調整する。