Metadata
Author: patents-wipo
Data
English[en]
Provided is a high frequency semiconductor device, wherein a first insulating layer, a non-doped epitaxial polysilicon layer with a columnar crystal structure, a second insulating layer, and a semiconductor layer are formed in that order on one surface of a semiconductor substrate starting from the side of the one surface, and a high frequency transistor is formed where the semiconductor layer faces the non-doped epitaxial polysilicon layer via the second insulating layer.
French[fr]
L'invention concerne un dispositif à semi-conducteurs haute fréquence, où une première couche isolante, une couche de polysilicium épitaxiale non dopée pourvue d'une structure cristalline en forme de colonne, une seconde couche isolante et une couche semi-conductrice sont formées dans cet ordre sur une surface d'un substrat à semi-conducteurs, en partant du côté de cette surface, et un transistor haute fréquence est formé à l'endroit où la couche semi-conductrice est tournée vers la couche de polysilicium épitaxiale non dopée par le biais de la seconde couche isolante.
Japanese[ja]
半導体基板の一方の面に、当該一方の面の側から順に、第1絶縁層、柱状結晶状のノンドープのエピタキシャル・ポリシリコン層、第2絶縁層、および、半導体層が形成され、前記第2絶縁層を介して前記ノンドープのエピタキシャル・ポリシリコン層に臨む前記半導体層の位置に、高周波トランジスタが形成されている、高周波半導体装置。