Metadata
Author: patents-wipo
Data
English[en]
The implant-generated dielectric layer (13) and underlying silicon substrate (41) also serve as capacitor elements, thereby simplifying the structure and fabrication of the display device and providing improved operation through improved isolation of the MOS device elements formed in the epitaxial silicon (15) from the substrate (41).
French[fr]
La couche diélectrique produite par implantation (13) et le substrat de silicium sous-jacent (41) sevent également d'éléments capacitifs, de manière à simplifier la structure et la fabrication du dispositif d'affichage et à permettre un meilleur fonctionnement grâce à l'amélioration de l'isolation des éléments du dispositif MOS formés dans la couche de silicium épitaxial (15) à partir du substrat (41).