Metadata
Author: patents-wipo
Data
English[en]
Disclosed is a method for growing a thin-plate silicon crystal, comprising: flowing a molten silicon formed by melting a silicon raw material onto a liquid substrate, the molten silicon floating on the liquid substrate, and forming a molten silicon thin layer; then by controlling a temperature field, forming a temperature gradient in a horizontal direction of the molten silicon thin layer and the liquid substrate, and finally the molten silicon thin layer crystallizing to generate a thin-plate silicon crystal.
French[fr]
La présente invention concerne un procédé de croissance d'un cristal de silicium à plaque mince, consistant à : faire circuler un silicium fondu formé par fusion d'une matière brute de silicium sur un substrat liquide, le silicium fondu flottant sur le substrat liquide, et former une couche mince de silicium fondu ; puis, par régulation d'un champ thermique, former un gradient de température dans une direction horizontale de la couche mince de silicium fondu et le substrat liquide, et enfin amener la couche mince de silicium fondu à cristalliser pour produire un cristal de silicium à plaque mince.
Chinese[zh]
本发明公开了一种生长薄板硅晶体的方法,包括:将由硅原料熔化所形成的硅熔液流入到液态衬底的上面,所述的硅熔液浮于所述的液态衬底之上,形成硅熔液薄层;再通过温度场控制,使得在所述的硅熔液薄层和液态衬底的水平方向形成温度梯度,最终所述的硅熔液薄层结晶生成薄板硅晶体。 由于液态衬底物质对硅熔液/硅晶体的支撑作用,容易形成表面平整的薄板硅。