Metadata
Author: patents-wipo
Data
English[en]
A highly pressure-resistant semiconductor device comprising, on a p--type silicon substrate (100), an n--type region (101) which is surrounded by p- well regions (102), a drain n+ region (103) which is connected to a drain electrode (120), a p base region(105) which is so formed as to surround the drain n+ region (103), a source n+ region (114) which is formed in the p base region(105), an a p- region (131) which separates the n--type region (101) into an n--type region (101a) that contains the drain n+ region (103) and an n--type region (101b) which does not contains the drain n+ region (103).
French[fr]
La présente invention a trait à un dispositif à semi-conducteur hautement résistant à la pression qui comprend, sur un substrat de silicium de type p- (100), une zone de type n- (101) qui est entourée de zones de puits p- (102), une zone de drain n+ (103) qui est connectée à une électrode de drain (120), une zone de base p (105) qui est formée de manière à entourer la zone de drain n+ (103), une zone de source n+ (114) qui est formée dans la zone de base p (105), une zone a p- (131) qui divise la zone de type n- (101) en une zone de type n- (101a) qui contient la zone de drain n+ (103) et en une zone de type n- (101b) qui ne contient pas la zone de drain n+ (103).
Japanese[ja]
高耐圧半導体装置は、p-型シリコン基板(100)上にp-ウエル領域(102)により囲まれたn-型領域(101)と、ドレイン電極(120)と接続されるドレインn+領域(103)と、ドレインn+領域(103)を囲むように形成されたpベース領域(105)と、pベース領域(105)内に形成されたソースn+領域(114)と、n-型領域(101)をドレインn+領域(103)を備えるn-型領域(101a)およびドレインn+領域(103)を備えないn-型領域(101b)に分離するp-領域(131)と、を備えたものとする。