Metadata
Author: patents-wipo
Data
English[en]
At that time, the channel stop regions are formed to have a relationship wherein the impurity concentration is increased toward the outer circumferential side surface of the semiconductor substrate, and the depth of the high impurity concentration region is equal to or more than the depth of the low impurity concentration region.
French[fr]
À ce stade, les régions d'arrêt de canal sont formées de manière à créer une relation dans laquelle la concentration d'impuretés augmente vers la surface latérale circonférentielle externe du substrat semi-conducteur et la profondeur de la région à haute concentration d'impuretés est supérieure ou égale à la profondeur de la région à faible concentration d'impuretés.
Japanese[ja]
半導体基板の外周側面から表面に移行する個所にチャネルストップ領域を設けて半導体装置の耐圧を確保する構造において、不純物濃度が相違する複数個の領域でチャネルストップ領域を形成する。