Metadata
Author: patents-wipo
Data
English[en]
A transistor includes a gate electrode formed on a substrate; source and drain regions formed within the substrate exposed to both sides of the gate electrode; and a doping region selectively formed on an upper part of the drain region in alignment with the gate electrode.
French[fr]
La présente invention concerne un transistor comprenant une électrode de grille formée sur un substrat, des régions source et de drain formées dans le substrat exposé aux deux côtés de l'électrode de grille; et une région de dopage sélectivement formée sur une partie supérieure de la région de drain dans l'alignement de l'électrode de grille.
Korean[ko]
본 발명은 트랜지스터의 게이트-소스 간 중첩 정전용량으로 인해 발생하는 잡음 포지티브 피드백 이득(noise positive feedback gain)을 억제하고, 이로 인해 유발되는 잡음 정분을 감소시킬 수 있는 트랜지스터를 제공하기 위한 것으로, 이를 위해 본 발명은 기판 상에 형성된 게이트 전극과, 상기 게이트 전극의 양측으로 노출된 상기 기판 내에 형성된 소스 및 드레인 영역과, 상기 게이트 전극과 정렬되어 상기 드레인 영역 상부에 선택적으로 형성된 도핑영역을 포함하는 트랜지스터를 제공한다.