Metadata
Author: oj4
Data
Czech[cs]
Výrobkem, kterého se toto šetření týká, je týž výrobek jako v původním šetření, tj. některé elektronické mikroobvody nazývané dynamické paměti s libovolným přístupem (DRAM) všech typů, hustot záznamu a variant, též montovaných, ve formě zpracovaných waferů nebo čipů, vyrobených pomocí variant technologie kovových oxidových polovodičů (MOS), včetně technologie CMOS, všech hustot záznamů (i budoucích), bez ohledu na přístupovou dobu, konfiguraci, obal nebo rám atd., pocházející z Korejské republiky
Danish[da]
Den pågældende vare i denne undersøgelse er den samme som i den oprindelige undersøgelse, dvs. visse elektroniske mikrokredsløb, såkaldte DRAMs (dynamic random access memories), af samtlige typer, tætheder og varianter, både samlet og i plade- og terningeform, fremstillet ved hjælp af forskellige former for MOS-teknologi (Metal Oxide Semiconductor), herunder supplerende MOS-typer (CMOS), af samtlige tætheder (herunder fremtidige tætheder), uanset hvilken adgangshastighed, konfiguration, pakning eller ramme der er tale om, med oprindelse i Republikken Korea
German[de]
Diese Untersuchung betrifft dieselbe Ware wie die Ausgangsuntersuchung, d. h. bestimmte elektronische Mikroschaltungen, so genannte DRAMs (dynamische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff), aller Typen, Speicherdichten und Varianten, auch montiert, in Form von bearbeiteten Scheiben (wafers) oder Chips, die nach Varianten der Metalloxydhalbleiter(MOS)-Technik einschließlich der CMOS-Technik hergestellt werden, aller Speicherdichten (auch künftiger), unabhängig von der Zugriffsgeschwindigkeit, der Konfiguration, dem Gehäuse, dem Rahmen usw., mit Ursprung in der Republik Korea
English[en]
The product concerned by this investigation is the same as that covered by the original investigation, i.e. certain electronic microcircuits known as Dynamic Random Access Memories (DRAMs), of all types, densities and variations, whether assembled, in processed wafer or chips (dies), manufactured using variations of metal oxide-semiconductors (MOS) process technology, including complementary MOS types (CMOS), of all densities (including future densities), irrespective of access speed, configuration, package or frame etc., originating in the Republic of Korea
Spanish[es]
El producto afectado por la presente investigación es el mismo que el de la investigación original, a saber, determinados microcircuitos electrónicos conocidos como DRAM (Dynamic Random Access Memories, memorias dinámicas de acceso aleatorio) de todos los tipos, densidades y variedades, ensamblados tanto en forma de disco como de pastilla, fabricados utilizando variaciones de la tecnología del proceso para crear semiconductores de óxido metálico (Metal Oxide-Semiconductors, MOS), incluidos tipos de MOS complementarios (CMOS), de todas las densidades (incluidas densidades que todavía no existen) independientemente de su velocidad de acceso, configuración, embalaje o soporte, etc. originarios de la República de Corea
Estonian[et]
Käesoleva uurimise vaatlusalune toode on sama, mida käsitleti esialgses uurimises, st Korea Vabariigist pärit dünaamiliste muutmäludena (DRAM) tuntud teatavate elektrooniliste mikrolülituste kõik tüübid, tihedused ja variandid, olgu need komplektsed, töödeldud integraallülituste toorikkristallidesse või pooljuhtkristallidesse (kiipidesse), toodetud erinevaid metalloksiidpooljuhtide (MOS) tootmistehnoloogiaid kasutades, kaasa arvatud komplementaarse metalloksiidränistruktuuri (CMOS) tüüpi, igasuguse tihedusega (kaasa arvatud tihedus tulevikus), sõltumata pöörduskiirusest, konfiguratsioonist, kiibikestast või raamist jne
Finnish[fi]
Tarkasteltavina olevat tuotteet ovat tässä tutkimuksessa samat kuin alkuperäisessä tutkimuksessa eli Korean tasavallasta peräisin olevat dynaamisiksi hakumuisteiksi kutsutut tietyt elektroniset mikropiirit (DRAM-muistit), joiden tyyppi, tiheys (tulevat tiheydet mukaan luettuina), muunnelma, hakunopeus, konfiguraatio, pakkaus, kehys jne. voivat olla millaisia tahansa ja jotka voivat olla koottuja ja jotka on jalostettu puolijohdekiekoiksi tai-siruiksi ja valmistettu käyttäen metallioksidipuolijohdeteknologian (MOS-teknologian) muunnelmia, kuten komplementaarista MOS-teknologiaa (CMOS
French[fr]
Les produits concernés par la présente enquête sont les mêmes que lors de l'enquête initiale, à savoir certains types de microcircuits électroniques dits DRAM (dynamic random access memories – mémoires dynamiques à accès aléatoire), de tous types, densités (y compris les densités non encore existantes) et variantes, assemblés ou non, sous forme de disques ou de microplaquettes transformés, fabriqués à l'aide de variantes du procédé métal-oxyde-semi-conducteur (MOS), y compris certains types de MOS complémentaire (CMOS), quels que soient leur vitesse d'accès, leur configuration, leur mode de conditionnement ou leur support, etc., originaires de la République de Corée
Hungarian[hu]
A jelen vizsgálat szempontjából érintettnek számító termék megegyezik az eredeti vizsgálat tárgyával, azaz a Koreai Köztársaságból származó egyes, DRAM (dinamikus véletlen hozzáférésű memória) néven ismert, a fémoxid félvezető (MOS) gyártási technológia változatai, köztük komplementer MOS (CMOS) technológiatípusok révén előállított elektronikus mikroáramkörökkel, összeszerelve, feldolgozott szilíciumszelet vagy csip formájában is, függetlenül azok típusától, sűrűségétől (beleértve a jövőbeli sűrűségeket is), változatától, hozzáférési sebességétől, konfigurációjától, tokozásától vagy adattovábbító blokkjától stb
Italian[it]
Il prodotto in esame oggetto dell’inchiesta presente è lo stesso dell’inchiesta iniziale, ovvero alcuni microcircuiti elettronici noti come DRAM (Dynamic Random Access Memories- memorie dinamiche ad accesso casuale), di ogni tipo, densità e variante, assemblati, montati su wafer o sotto forma di chip (dies), costruiti utilizzando tipi diversi di semiconduttori metallo-ossidi (MOS), compresi tipi di MOS complementari (CMOS), di ogni densità (comprese le densità future), indipendentemente dalla velocità di accesso, dalla configurazione, dalla confezione o dal supporto, ecc., originari della Repubblica di Corea
Lithuanian[lt]
Atliekant tyrimą aptariamas produktas yra tas pats produktas, kuris buvo nagrinėtas pradinio tyrimo metu, t. y. tam tikri Korėjos Respublikos kilmės visų tipų, tankių ir variantų, surinktų arba ne, perdirbtuose lustuose arba plokštelėse, gaminamų naudojant metalų oksidų puslaidininkių (toliau – MOP) proceso technologijos variantus, įskaitant papildomus MOP tipus (PMOP), visų tankių (įskaitant būsimus tankius), nepriklausomai nuo prieigos greičio, konfigūracijos, pakuotės ar rėmo ir t. t. elektroniniai mikrograndynai, vadinami DRAM (dinaminės laisvosios kreipties atmintinės
Latvian[lv]
Šajā izmeklēšanā attiecīgais ražojums ir tas pats, kas minēts sākotnējā izmeklēšanā, t.i., dažas Korejas Republikas izcelsmes elektroniskas mikroshēmas, kas pazīstamas kā dinamiskās brīvpiekļuves atmiņas (DRAM), jebkādā veidā, ar jebkādu blīvumu, to variants var būt jebkāds, tās var būt komplektā, saliktu apstrādāta diska vai mikroshēmu veidā vai izgatavotas, izmantojot metālu oksīdu pusvadītāju (MOS) apstrādes tehnoloģiju variantus, tostarp jebkura blīvuma (arī vēl neesoša blīvuma) komplementārā MOS (CMOS) veidus, lai kāds būtu piekļuves ātrums, konfigurācija, iepakojums vai rāmis utt
Dutch[nl]
Het betrokken product in het kader van dit onderzoek is hetzelfde als in het oorspronkelijke onderzoek, namelijk bepaalde micro-elektronische schakelingen, zogeheten DRAM’s, van alle soorten, dichtheden en varianten, al dan niet geassembleerd of in de vorm van bewerkte wafers of chips (dies), vervaardigd in varianten van de metaaloxidehalfgeleider(MOS)-technologie, zoals complementaire MOS-types (CMOS), van alle dichtheden (ook toekomstige), ongeacht toegangssnelheid, configuratie, behuizing, frame enz., uit de Republiek Korea
Portuguese[pt]
O produto objecto do inquérito é idêntico ao do inquérito inicial, ou seja, certos microcircuitos electrónicos conhecidos por memórias dinâmicas de acesso aleatório (DRAM) de todos os tipos, densidades e variações, sejam ou não conjuntos DRAM, sob forma de discos (wafers) ou pastilhas (chips), fabricados através da utilização de variantes da transformação de semicondutores de óxidos metálicos (MOS), incluindo tipos de MOS complementares (CMOS), de todas as densidades (incluindo densidades futuras), independentemente da velocidade de acesso, configuração, montagem ou cápsula, etc., originários da República da Coreia
Slovak[sk]
Príslušný výrobok, ktorého sa týka toto prešetrovanie, je rovnaký ako výrobok zahrnutý v pôvodnom prešetrovaní, t. j. niektoré mikroelektronické obvody známe ako dynamické pamäte s priamym prístupom (DRAM) všetkých typov, hustôt, druhov, bez ohľadu na to, či sú zmontované vo forme spracovaných doštičiek alebo čipov (foriem), vyrobených s využitím rôznych druhov technológie vytvárania polovodičovej štruktúry na základe oxidov kovov (MOS) vrátane doplnkových typov MOS (CMOS), všetkých hustôt (vrátane budúcich hustôt), bez ohľadu na rýchlosť prístupu, konfiguráciu, balenie alebo rám atď., s pôvodom v Kórejskej republike
Slovenian[sl]
Zadevni izdelek v tej preiskavi je enak izdelku, obravnavanemu v prvotni preiskavi, tj. nekatera elektronska mikrovezja, poznana kot DRAM (dinamični-bralno pisalni pomnilnik), vseh vrst, gostot in različic, sestavljenih na rezinah ali čipih (matricah), proizvedenih z uporabo različic procesne tehnologije kovinskooksidnih polprevodnikov (MOS), vključno z dopolnilnimi vrstami MOS (CMOS), vseh gostot (vključno s prihodnjimi gostotami), ne glede na hitrost dostopa, konfiguracijo, paket ali okvir itd., s poreklom iz Republike Koreje
Swedish[sv]
Den produkt som är föremål för undersökningen (nedan kallad den berörda produkten) är samma som omfattades av den ursprungliga undersökningen, dvs. vissa elektroniska mikrokretsar av dram-typ av alla typer, tätheter och variationer, antingen i form av bearbetade kiselskivor eller i form av kiselbrickor, tillverkade med hjälp av olika varianter av metalloxidhalvledarteknik (MOS) inbegripet komplementära MOS-typer (CMOS), av alla tätheter (inklusive framtida tätheter), oavsett åtkomsttid, konfiguration, ramar eller kapsling m.m., med ursprung i Sydkorea