Metadata
Author: patents-wipo
Data
English[en]
Provided is a method for manufacturing a variable resistance nonvolatile storage device such that a metal electrode that forms a lower electrode on the bottom of a memory cell hole can be formed reliably without having electrical conductivity with an upper electrode of a variable resistance element that is formed so as to be embedded in the memory cell hole.
French[fr]
L'invention porte sur un procédé de fabrication d'un dispositif de stockage non volatil à résistance variable tel qu'une électrode métallique qui forme une électrode inférieure au fond d'un trou de cellule de mémoire puisse être formée d'une manière fiable sans avoir de conductivité électrique avec une électrode supérieure d'un élément à résistance variable qui est formée de manière à être incorporée dans le trou de cellule de mémoire.
Japanese[ja]
メモリセルホール内に埋め込み形成される抵抗変化素子の上部電極と電気的に導通しないように、確実にメモリセルホールの底部に下部電極となる金属電極を形成することができる、抵抗変化型不揮発性記憶装置の製造方法を提供する。 複数の下層銅配線(18)を形成する工程と、第3の層間絶縁層(19)を形成する工程と、第3の層間絶縁層(19)に、上部近傍の開口径が底部近傍の開口径よりも小さい複数のメモリセルホール(20)を形成する工程と、複数のメモリセルホール(20)の底部にスパッタリングにより金属電極層(22)を形成する工程と、複数のメモリセルホール(20)内に抵抗変化層(23)を埋め込み形成する工程と、複数のメモリセルホール(20)内に埋め込み形成された抵抗変化層(23)のそれぞれに接続される複数の上層銅配線(24)を形成する工程とを含む。