Metadata
Author: patents-wipo
Data
English[en]
The method for thinning a wafer, according to one embodiment of the present invention, comprises the steps of: irradiating a line beam focused at a specific depth of the wafer; scanning the wafer by using the line beam so as to form an interface at the specific depth of the wafer; and cleaving the wafer on which the interface is formed into a pattern wafer and a dummy wafer.
French[fr]
Le procédé d'amincissement de tranche, selon un mode de réalisation de la présente invention, comporte les étapes consistant : à irradier un faisceau linéaire focalisé à une profondeur précise de la tranche; à balayer la tranche à l'aide du faisceau linéaire de manière à former une interface au niveau de la profondeur précise de la tranche; à cliver la tranche sur laquelle l'interface est formée en une tranche à motif et une tranche factice.
Korean[ko]
본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼의 시닝 방법은, 웨이퍼의 특정 깊이에 초점이 맞추어진 라인빔을 조사하는 단계; 상기 라인빔을 이용하여 상기 웨이퍼를 스캔하여 상기 웨이퍼의 특정 깊이에 계면을 형성하는 단계; 및 상기 계면이 형성된 웨이퍼를 패턴 웨이퍼(pattern wafer)와 더미 웨이퍼(dummy wafer)로 클리빙(cleaving)하는 단계를 포함한다.