Metadata
Author: patents-wipo
Data
English[en]
Since a group III nitride semiconductor crystal such as gallium nitride sometimes suffers from cracking during the processing such as slicing or polishing, the group III nitride semiconductor crystal has been a factor that lowers the production yield of a substrate or the like.
French[fr]
Étant donné qu'un cristal semi-conducteur de nitrure du groupe III tel que le nitrure de gallium subit parfois une fissuration pendant un traitement tel que le tranchage ou le polissage, le cristal semi-conducteur de nitrure du groupe III a été un facteur qui abaisse le rendement de production d'un substrat ou analogue.
Japanese[ja]
窒化ガリウム等のIII族窒化物半導体結晶は、スライス、研磨等の成形加工時に割れが生じることがあり、基板等を製造する際の歩留りを低下させる要因となっていた。 基底面転位密度が特定の値以上である領域(領域X)及び基底面転位密度が特定の値未満である領域(領域Y)を有することによって、結晶内の内部応力が分散され、スライス、研磨等の成形加工時に割れが生じにくいIII族窒化物半導体結晶となる。