Metadata
Author: patents-wipo
Data
English[en]
A wiring layer structure which comprises: an underlying substrate comprising a semiconductor substrate or a glass substrate; an oxygen-containing Cu layer or an oxygen-containing Cu alloy layer formed on the underlying substrate; an oxide layer formed on the oxygen-containing Cu layer or the oxygen-containing Cu alloy layer and containing at least one element selected from Al, Zr and Ti; and a Cu alloy layer formed on the oxide layer and containing at least one element selected from Al, Zr and Ti.
French[fr]
L'invention porte sur une structure de couche de câblage qui comprend : un substrat sous-jacent comprenant un substrat semi-conducteur ou un substrat en verre ; une couche de cuivre (Cu) contenant de l'oxygène ou une couche d'alliage Cu contenant de l'oxygène formée sur le substrat sous-jacent ; une couche d'oxyde formée sur la couche Cu contenant de l'oxygène ou la couche d'alliage Cu contenant de l'oxygène et contenant au moins un élément choisi parmi Al, Zr et Ti ; et une couche d'alliage Cu formée sur la couche d'oxyde et contenant au moins un élément choisi parmi Al, Zr et Ti.
Japanese[ja]
半導体基板又はガラス基板の下地基板と、該下地基板上に形成された酸素含有Cu層又は酸素含有Cu合金層と、該酸素含有Cu層又は該酸素含有Cu合金層上に形成された、Al、Zr、Tiのうち少なくとも一種を含有する酸化物層と、該酸化物層上に形成された、Al、Zr、Tiのうち少なくとも一種を含有するCu合金層とを備えた配線層構造。