Metadata
Author: patents-wipo
Data
English[en]
The tunnel magnetoresistance effect element is applied to the magnetic memory cell and the magnetic random access memory.
French[fr]
L'élément à magnétorésistance à effet tunnel est appliqué sur la cellule de mémoire magnétique et la mémoire vive magnétique.
Japanese[ja]
また、このトンネル磁気抵抗効果素子を磁気メモリセル並びに磁気ランダムアクセスメモリに適用する。