Metadata
Author: patents-wipo
Data
English[en]
In the semiconductor device of this invention, an end of a pn junction section (5) of a collector region (2) and a base region (3) is formed of a mesa groove (6) made of a trench.
French[fr]
Dans le dispositif semi-conducteur de cette invention, une extrémité d'une section de jonction pn (5) d'une région de collecteur (2) et d'une région de base (3) est formée à partir d'une rainure mesa (6) constituée d'une tranchée.
Japanese[ja]
本発明に係る半導体装置では、コレクタ領域(2)とベース領域(3)とによるpn接合部(5)の端が、トレンチからなるメサ溝(6)により形成される。