Metadata
Author: cordis
Data
German[de]
Der schmale Bandabstand macht InN zu einem spannenden Material, das die Entwicklung von Solarzellen von allerhöchstem Wirkungsgrad wahr werden lässt, während eine Elektronenmobilität von 4 000 cm2/Vs und sehr hohe Sättigungsgeschwindigkeiten InN als einem idealen Werkstoff präsentieren, um im Terahertzbereich arbeitende Geräte zu entwickeln, die auf hohe Elektronenmobilität angewiesen sind.
English[en]
Its narrow band makes it an exciting material to develop the highest efficiency solar cells, whilst an electron mobility of 4 000 cm2/Vs and very high saturation velocities make InN an ideal material to develop high electron mobility devices capable of operating in the Terahertz range.
Spanish[es]
La banda estrecha característica del InN lo convierte en un material interesante para desarrollar células solares de alta eficiencia, en tanto que, al presentar igualmente una movilidad de electrones de 4 000 cm2/Vs y unas velocidades de saturación muy altas, resulta asimismo ideal para el desarrollo de dispositivos de alta movilidad de electrones capaces de operar en el rango de los terahercios.
French[fr]
L'étroitesse de sa bande le rend très intéressant pour réaliser des cellules solaires à rendement maximal, et la mobilité électronique de 4000 cm2/V.s et une vitesse de saturation très élevée le rendent idéal pour mettre au point des dispositifs à mobilité électronique élevée capable de fonctionner dans la gamme du THz.
Italian[it]
La banda proibita rende questo materiale molto interessante per lo sviluppo di celle solari più efficienti; in virtù della mobilità degli elettroni di 4.000 cm2/Vs e alle velocità di saturazione molto elevate, il nitruro di indio è il materiale ideale per lo sviluppo di dispositivi ad elevata mobilità degli elettroni in grado di operare nella gamma dei terahertz.
Polish[pl]
Jego wąskie pasmo sprawia, że jest to atrakcyjny materiał do rozwoju ogniw słonecznych o najwyższej wydajności, natomiast mobilność elektronów na poziomie 4000 cm2/Vs oraz bardzo duże szybkości saturacji czynią z azotku indu idealny materiał do rozwoju urządzeń o wysokiej mobilności elektronów zdolnych do działania w zakresie terahercowym.