Metadata
Author: patents-wipo
Data
English[en]
The purpose of the present invention is to provide a thin-film transistor which can have both an excellent ON characteristic and an excellent OFF characteristic, and electric characteristics of which will be symmetrical even when exchanging the source electrode and drain electrode thereof.
French[fr]
L'invention a pour objectif de fournir un transistor à couche mince permettant de combiner à la fois d'excellentes caractéristiques de marche et d'excellentes caractéristiques d'arrêt, et dans lequel il y a symétrie des caractéristiques électriques dans l'interversion d'une électrode source et d'une électrode drain.
Japanese[ja]
本発明の薄膜トランジスタは、優れたオン特性と優れたオフ特性とを両立させることができ、電気特性がソース電極およびドレイン電極の入れ替えに対して対称となる薄膜トランジスタを提供することを目的とするものであって、基板(100)と、ゲート電極(110)と、ゲート絶縁層(120)と、ゲート電極(110)の上方のゲート絶縁層(120)上に形成された結晶性シリコン層(131)と、ゲート絶縁層(120)上であって結晶性シリコン層(131)の両側に形成され、結晶性シリコン層(131)の膜厚より膜厚が薄い非結晶性シリコン層(130)と、結晶性シリコン層(131)上に形成されたチャネル保護層(140)と、ソース電極(171)およびドレイン電極(172)とを備える。