Metadata
Author: patents-wipo
Data
English[en]
A semiconductor manufacturing technique that can effectively reduce residue of an abrasive agent introduced in a chemical mechanical polishing process, comprises the following steps: a grinding step of using a slurry (30) to grind a surface of a wafer (20); and a rinsing step of using a fluid to rinse the surface of the wafer (20) to remove the slurry (30) residing on the surface.
French[fr]
La présente invention concerne une technique de fabrication de semi-conducteurs apte à réduire efficacement les résidus d'un agent abrasif introduit lors d'un procédé de polissage mécano-chimique, qui comprend les étapes suivantes : une étape de ponçage qui consiste à utiliser une bouillie (30) pour poncer la surface d'une plaquette (20); et une étape de rinçage qui consiste à utiliser un liquide pour rincer la surface de la plaquette (20) afin d'éliminer la bouillie (30) qui se trouve sur ladite surface.
Chinese[zh]
包括以下步骤:研磨步骤,利用浆料(30)来研磨晶圆(20)的表面;冲洗步骤,利用流体冲洗晶圆(20)的表面以去除残留在表面的浆料(30)。