Metadata
Author: patents-wipo
Data
English[en]
A clamp voltage of the surge protection element is set lower than a withstand voltage of a GaN transistor, and breakage of the GaN transistor can be eliminated by carrying a clamp current to the surge protection element when applying a surge voltage.
French[fr]
Une tension de blocage de l'élément de protection contre la surtension est réglée pour être inférieure à une tension de tenue d'un transistor GaN, et la rupture du transistor GaN peut être éliminée par le transport d'un courant de blocage vers l'élément de protection contre la surtension lors de l'application d'une surtension transitoire.
Japanese[ja]
GaNトランジスタの耐圧より低くサージ保護素子のクランプ電圧を設定し、サージ電圧印加時にはサージ保護素子にクランプ電流を通電することでGaNトランジスタの破壊を防ぐことができる。