Metadata
Author: EurLex-2
Data
Danish[da]
Skrive/laese Random Access Memories med adskilte ind - og udgange og serielle skifteregistre ( Field Memories ), fremstillet ved C-MOS teknologi ( C-MOS D-RAMs ) i form af et monolitisk integreret kredsloeb, med en lagerkapaciteit paa 1 megabit, anbragt i en indkapsling, hvis ydre dimensioner ikke overstiger 17×54 mm, forsynet med hoejst 40 tilledninger, og :
German[de]
Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff, mit getrennten Ein - und Ausgängen und seriellen Schieberegistern ( sogenannte Field Memories ), in C-MOS-Technik hergestellt, mit einer Speicherkapazität von 1 Megabit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 40 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 17×54 mm .
Greek[el]
Μνήμη ανάγνωσης/γραφής τυχαίας προσπέλασης, με ικανότητα απομνημόνευσης 1^Mbits, με ξεχωριστές εισόδους/εξόδους και σειριακούς καταχωρητές ολίσθησης ( field memories ), τεχνολογίας C-MOS, υπό μορφή μονολιθικού ολοκληρωμένου κυκλώματος, εντός περιβλήματος του οποίου οι εξωτερικές διαστάσεις δεν υπερβαίνουν τα 17x54 mm, με 40 το πολύ ακίδες σύνδεσης . Η θήκη φέρει :
English[en]
Random-access memory with a storage capacity of 1 Mbit, with separate in- and outputs and serial shift registers (so-called field memories), of C-MOS technology, in the form of a monolithic integrated circuit, contained in a housing the exterior dimensions of which do not exceed 17×54 mm, with not more than 40 connecting pins and bearing:
Spanish[es]
Memoria de lectura y escritura de acceso aleatorio, con una capacidad de almacenamiento de 1 Megabit, con entradas/salidas separadas y registros de desplazamiento en serie (Field memories), fabricadas en tecnología C-MOS, en forma de circuito integrado monolítico, encerrado en una cápsula de unas dimensiones no superiores a 17 x 54 mm y con un máximo de 40 patillas de conexión.
French[fr]
Mémoire à lecture-écriture à accès aléatoire, d'une capacité de mémorisation de 1 mégabit, avec entrées/sorties séparées et registres à décalage sériels ( field memories ), réalisée en technologie C-MOS, sous forme de circuit intégré monolithique, enserré dans un boitier, dont les dimensions n'excèdent pas 17×54 mm comportant au maximum 40 broches de connexion et portant :
Italian[it]
Memoria dinamica di lettura e scrittura a libero accesso (D/RAM) con entrate e uscite separate e registri seriali a scorrimento («field memories»), in tecnologia C/MOS, con capacità di memorizzazione di 1 Megabit, sotto forma di circuito integrato monolitico inserito in un contenitore di dimensioni non superiori a 17×54 mm, con al massimo 40 spinotti di connessione e sul quale è riportata:
Dutch[nl]
Willekeurig toegankelijke lees/schrijfgeheugens met een capaciteit van 1 megabit, met gescheiden in - en uitgangen en seriële schuifregisters, vervaardigd volgens de CMOS-techniek ( zogenaamde "CMOS Field Memories ''), in de vorm van een monolitische geïntegreerde schakeling waarvan de afmetingen niet meer dan 17×54 mm bedragen, met niet meer dan 40 contactpennetjes en voorzien van :
Portuguese[pt]
1 Megabit, com entradas e saídas separadas e registos de deslocamento em série (designadas Field Memories), realizada em tecnologia C-MOS, sob forma de circuito integrado monolítico, encerrada numa caixa cujas dimensões exteriores não excedam 17×54 mm, com não mais de 40 pinos de conexão e ostentanto: